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NTR3162P
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
3
--V DS
Q T
--V GS
12
10
8
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C rss
5
10
C oss
15
20
2
1
0
0
Q gs
1
2
Q gd
3
4
5
6
7
V DS = --10 A
I D = --3.6 A
T J = 25 ° C
8 9 10
6
4
2
0
11
--V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate--to--Source and Drain--to--Source
Voltage vs. Total Gate Charge
1000
V DD = --10 V
I D = --3.6 A
V GS = --4.5 V
t d(off)
10
100
t f
T J = 150 ° C
t r
1.0
T J = 125 ° C
10
t d(on)
T J = --55 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.8
R G , GATE RESISTANCE ( Ω )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
80
--V SD , SOURCE--TO--DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I D = --250 m A
70
60
50
40
30
20
10
0.2
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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